フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
イ 紫外線で全内容の消去ができる。
ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。
エ ブロック単位で電気的に消去できる。
ア:SRAM に関する記述である。データを速く読み出せるので,キャッシュメモリとしてよく用いられる。
イ:EPROM に関する記述である。紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。
ウ:DRAM( Dynamic RAM ) に関する記述で、MOS 形記憶セルで構成され、電力消費が少なく、集積度が高い。 コンデンサを使ったメモリでアクセス速度がやや遅く、定期的にリフレッシュ(データの書き直し)が必要である。
【平成23年秋 問25】